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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제3호
발행연도
1996.9
수록면
229 - 238 (10page)

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절연보호막 처리된 Al-1%Si 박막배선에서 고정된 D.C. 및 Pulsed D.C. 조건하에서의 electromigration 현상과 도체수명특성에 대하여 조사하였다. 길이 21080㎛, 선폭 3㎛의 dimension을 갖는 meander type의 passivation layer(SiO₂/PSG)가 0.1㎛/0.8㎛의 두께로 절연막처리 되어있는 Al-1%Si 박막배선에 고정된 전류밀도 2×10^6A/㎠ 1×10^7 A/㎠의 D.C.와 200㎑, 800㎑, 1㎒, 4㎒의 주파수 범위를 가지며, duty factor 0.5인 2×10^6 A/㎠, 1×10^7 A/㎠의 전류밀도를 갖는 Pulsed D.C.를 인가하였다. 인가된 D.C. 및 Pulsed D.C. 조건하에서의 도체수명은 D.C. 보다는 Pulsed D.C.인 경우에 더 긴것으로 나타났고 전류밀도에 크게 의존하고 있음을 알 수 있었다.D.C 보다는 Pulsed D.C 조건하에서 도체수명이 더 긴 것은 duty cycle을 갖는 wave on-off형태의 Pulsed D.C.에서 pulsed off time시에 발생하는 박막배선 내부의 기계적, 전기적 stress gradient에 기인한 과잉 vacancy의 퇴화형성과정인 이완현상(relaxation phenomenon)으로 생각된다. 박막배선내부에 electromigration 현상에 의해 발생된 전기적 개방, 단락을 일으키는 결함에 대한 분석을 SEM(Scanning Electron Microscopy)을 이용하여 관찰하였다. electromigration에 의한 결함은 surface extrusion인 hillock과 depletion region에서 형성된 crack(void)의 형태가 대표적인 결함들로 나타나고 있음을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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