지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL DETAILS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
FABRICATION OF 4H-SIC SCHOTTKY BARRIER DIODES WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGES
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
대향 타겟 스퍼터링법으로 제작한 SiC SBD의 전기적 특성
반도체디스플레이기술학회지
2015 .01
Pt/4H-SiC Schottky Barrier Diodes의 특성에서 Schottky 접합의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
HOMOEPITAXIAL GROWTH OF HIGH QUALITY 6H-SiC THIN FILMS USING BIS-TRIMETHYLSILYLMETHANE BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
$B^+$ 이온주입을 이용한 4H-SiC Schottky Barrier Diode 소자의 항복전압 향상 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
SBD type Silicide-Si high current Schottky barrier switching diode and their characteristics
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
1991 .08
SBD Type Silicide-Si High Current Schottky Barrier Switching Diode and Their Characteristics
International Conference on Electronics, Informations and Communications
1991 .01
유기화합물 원료물질을 이용한 화학기상증착법에 의한 동종 4H-SiC 박막의 표면 및 구조적 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
SiC 다이오드를 이용한 전력변환회로
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .10
PECVD로 증착된 SiC 박막의 다양한 금속으로 제작된 SiC Schottky diode 전기적 특성에 따른 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2004 .11
Characteristics of Ni/SiC Schottky Diodes Grown by ICP-CVD
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
2004 .06
ICP-CVD로 성장된 SiC 박막위에 다양한 금속으로 제작된 Schottky diode의 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .11
고온 , 고전압 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구 ( Fabrications and Characterization of High Temperature , High Voltage Ni/6H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes )
전자공학회논문지-D
1998 .11
고내압용 Au/Ni/Ti/3C-SiC 쇼트키 다이오드의 제작과 그 특성
전기전자재료학회논문지
2011 .01
Pt-SiC SCHOTTKY DIODE FOR DETECTION OF METHANE GAS
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Pt-SiC 쇼트키 다이오드를 이용한 Co Gas 감지 특성에 대한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .11
RFID tag 집적화를 위한 0.18 ㎛ 표준 CMOS 공정을 이용한 쇼트키 다이오드의 제작
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Temperature Dependent Current Transport Mechanism in Graphene/Germanium Schottky Barrier Diode
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2015 .02
Analytical Models for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance of 4H-SiC Schottky Diodes
전자공학회논문지-SD
2008 .06
0