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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제38권 제5호
발행연도
2005.10
수록면
193 - 197 (5page)

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Highly c-axis oriented Zinc oxide (ZnO) films were successfully deposited at room temperature by oxygen ion-assisted pulsed filtered vacuum arc. The effect of oxygen gas ratio (O₂/O₂+Ar) on the preferred orientation, surface morphology and resistivity of the ZnO films were investigated. Highly crystalline ZnO films with (002) orientation were obtained at over 13% of oxygen gas ratio. Increasing oxygen gas ratio up to 80% was found to improve crystallinity of the films. From hall measurements, it was found that the film has n-type characteristic and carrier concentration and its mobility were closely related with oxygen gas ratio. Minimal resistivity of 3.6×10<SUP>-3</SUP> Ωㆍ㎝ was obtained in the range of 20% to 40% of oxygen gas ratio.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

참고문헌 (24)

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