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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.4
- 수록면
- 78 - 79 (2page)
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In this study, chemical dry characteristics of silicon nitride layers were investigated in the F₂/N₂/Ar remote plasma. A toroidal-type remote plasma source was used for the generation of remote plasmas. The effects of additive N₂gas on the etch rates of various silicon nitride layers deposited using different deposition techniques and precursors were investigated by varying the various process parameters, such as the F₂flow rate, the addition N₂flow rate and the substrate temperature. The etch rate ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experiments
3. Results and discussion
4. Summary
References
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