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논문 기본 정보
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- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2007
- 발행연도
- 2007.7
- 수록면
- 1,491 - 1,492 (2page)
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This paper presents a detailed study of the program/erase (P/E) dynamics in NAND SONOS flash memories. By calculating the oxide field and tunneling currents, we evaluate the charge trapping mechanism. We calculate transient P/E V<SUB>T</SUB> windows with the ONO fields and tunneling currents. All the parameters were obtained by physics-based equations and without any f ... 전체 초록 보기
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