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全賢求 (삼성전자) 崔成佑 (이수세라믹 연구소) 安昞澈 (성균관대학교) 盧用翰 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第37卷 SD編 第11號
발행연도
2000.11
수록면
25 - 35 (11page)

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금속-산화막-반도체 소자의 산화막에 존재하는 느린 준위에 의한 전류반응 특성을 양방향 전류-전압 측정기술을 적용하여 분석하였다. 게이트 바이어스에 따라 나타나는 충전 및 방전시의 순간전류를 유지시간, 지연시간, 전자주입 방향 및 전자주입량, 그리고 전자 주입 후 상온 방치시간의 함수로서 조사하였다. 느린 준위의 전하교환에 따른 전류 성분을 게이트 전압에 따라 실리콘 내 캐리어의 이동에 의해 나타나는 변위전류와 분리하여 해석하였다. 충전 및 방전시 나타나는 전하교환 전류는 산화막내 정전하 밀도뿐만 아니라 계면준위 밀도에도 크게 의존이 되며, 본 연구에서는 느린 준위의 전하교환 메카니즘을 제시하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작 및 측정 방식
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
참고문헌
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