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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 1,043 - 1,047 (5page)
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To investigate the electrical properties of the ZnO films which are interested in the next generation of short wavelength LEDs and Lasers, our ZnO thin films were deposited by RF sputtering system. At sputtering process of ZnO thin films, substrate temperature, work pressure respectively is 300 ℃ and 5.2 mTorr, and the purity of target is ZnO 5N. The thickness of ZnO thin films was about 2.1 ㎛ at SEM analysis after sputtering process. Phosphorus (P) and arsenic (As) were diffused into the undoped ZnO thin films sputtered by RF magnetron sputtering system in ampoule tube which was below 5×10-7 Torr. The dopant sources of phosphorus and arsenic were Zn3P2 and ZnAs2. Those diffusion was perform at 500, 600, and 700 ℃ during 3 hr. We found the diffusion condition of the conductive ZnO films which had n- and p-type properties. Our ZnO thin film has not only very high carrier concentration of above 1017/cm3 but also low resistivity of below 2.0×10-2 Ωcm.
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참고문헌 (12)
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/ 1998. / Open-tube solid- state diffusion of Zn into n-type GaAs0.35P0.65 from ZnO oxide films and electro-luminescence 83 (3) : 1327 ~
/ 2000. / Fabrication of homostructural ZnO p-n junctions 219 : 419 ~
/ 2000. / Optical and structural properties of ZnO films deposited on GaAs by pulsed laser deposi- tion 88 (1) : 201 ~
/ 2002. / ZnO 계 소자 연구 동향 15 (6) : 35 ~
/ 2003. / Properties of arsenic-doped p-type ZnO grown by hybrid beam deposition 83 (1) : 87 ~
/ 2000. / Fabrication of homostructural ZnO p-n junctions 219 : 419 ~
/ 2000. / Optical and structural properties of ZnO films deposited on GaAs by pulsed laser deposi- tion 88 (1) : 201 ~
/ 2002. / ZnO 계 소자 연구 동향 15 (6) : 35 ~
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