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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.2
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
- DOI
- 10.14801/jkiit.2015.13.2.1
이용수
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본 논문은 저면적 12비트 1MSps 연속 근사형 레지스터 아날로그-디지털 변환기를 제안한다. 제안하는 회로는 매그나칩/SK하이닉스 1-Poly 6-Metal 0.18-μm CMOS 공정 기술을 이용하여 설계하였고, 1.8V의 공급전압에서 동작한다. 칩 면적 중 많은 부분을 차지하는 커패시터 부분을 MOS 커패시터로 대체함으로써 전체 칩 면적을 줄였다. 소비전력을 줄이기 위하여 기존의 회로에 비해 단위 커패시터 및 전체 커패시터 수를 줄여 최적화된 회로를 설계하였다. 본 논문에서 제안하는 회로는 100kHz의 입력 주파수와 1.8V의 공급전압에서 기존의 연구 결과에 비해 향상된 1.93mW의 소비전력 특성과 0.51mm2의 칩 면적 특성을 보였다. 또한 70.51dB의 높은 SNDR(Signal-to-Noise Distortion Ratio)과 11.4비트의 우수한 유효비트수 특성을 보였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
IV. 결론
References
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
1. [단행본] - B. Razavi / 2013 / Design of Analog CMOS Integrated Circuits / McGraw-Hill : 20 ~
2. [학술지(정기간행물)] - A. M. Abo / 1999 / A 1.5-V, 10-bit, 14.3-MS/s CMOS Pipeline Analog-to-Digital Converter / IEEE Journal of Solid-State Circuits 34 (5) : 599 ~ 606
3. [학술지(정기간행물)] - C. C. Liu / 2010 / A 10-bit 50-MS/s SAR ADC With a Monotonic Capacitor Switching Procedure / IEEE Journal of Solid-State Circuits 45 (4) : 731 ~ 740
4. [학술지(정기간행물)] - J. McCreary / 1975 / All-MOS Charge Redistribution Analog-to-Digital Conversion Techniques Part I / IEEE Journal of Solid-State Circuits 10 (6) : 371 ~ 379
5. [학술지(정기간행물)] - R. E. Suarez / 1975 / All-MOS Charge Redistribution Analog-to-Digital Conversion Techniques Part II / IEEE Journal of Solid-State Circuits 10 (6) : 379 ~ 385
2. [학술지(정기간행물)] - A. M. Abo / 1999 / A 1.5-V, 10-bit, 14.3-MS/s CMOS Pipeline Analog-to-Digital Converter / IEEE Journal of Solid-State Circuits 34 (5) : 599 ~ 606
3. [학술지(정기간행물)] - C. C. Liu / 2010 / A 10-bit 50-MS/s SAR ADC With a Monotonic Capacitor Switching Procedure / IEEE Journal of Solid-State Circuits 45 (4) : 731 ~ 740
4. [학술지(정기간행물)] - J. McCreary / 1975 / All-MOS Charge Redistribution Analog-to-Digital Conversion Techniques Part I / IEEE Journal of Solid-State Circuits 10 (6) : 371 ~ 379
5. [학술지(정기간행물)] - R. E. Suarez / 1975 / All-MOS Charge Redistribution Analog-to-Digital Conversion Techniques Part II / IEEE Journal of Solid-State Circuits 10 (6) : 379 ~ 385
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