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Dual-Gate Surface Channel 0.1㎛ CMOSFETs
Journal of Electrical Engineering and information Science
1998 .04
표면 채널형 0.1μm CMOSFET 소자 제작 ( Fabrication of Surface Channel 0.1μm CMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
표면 채널형 0.1㎛ CMOSFET 소자 제작
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
Dual-Poly Gate Surface Channel 0.1mm CMOSFETs
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
CHARACTERISTICS of CMOSFETs with SPUTTER-DEPOSITED W / TiN STACKED GATE
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1995 .01
티타늄샐리사이드 공정을 이용한 0.1㎛ CMOSFET의 전기적특성 개선
대한전자공학회 학술대회
2002 .06
공정 시뮬레이션을 이용한 CMOS소자의 Gate Spacing에 대한 디자인 룰 설정
대한전기학회 학술대회 논문집
2015 .10
Dual-Gate Surface Channel 0.1㎛ CMOSFETs
Journal of Electrical Engineering and Information Science
1998 .04
A Novel High Voltage CMOSFET of 80 Volts Operation
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
두께 변화에 따른 Gate Oxide의 전기적 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
나노급 소자의 핫캐리어 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2004 .06
0.13㎛ CMOSFET의 차단주파수 및 최대진동주파수 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
CMOS소자의 Metal Contact과 Poly Gate간의 공정 여유도 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2015 .10
플라즈마 질화산화막을 적용한 CMOSFET의 질소 농도에 따른 저주파 잡음 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
Nano-CMOSFET를 위한 플라즈마-질화막의 초기 산화막 성장방법에 따른 소자 특성과 저주파 잡음 특성 분석
전기전자재료학회논문지
2007 .01
플라즈마 질화산화막을 적용한 CMOSFET의 질소 농도에 따른 저주파 잡음 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
얕은 쏘오스/드레인 접합 깊이가 Deep Submicron CMOSFET 소자 특성에 미치는 영향 ( Dependence of Deep Submicron CMOSFET Characteristics on Shallow Source/Drain Junction Depth )
전자공학회논문지-A
1996 .04
Wet 게이트 산화막과 Nitride 산화막 소자의 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1999 .06
Wet or Dry 방식에 따른 극박 게이트 산화막의 전기적 특성 및 저온 Post anneal 효과의 평가
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
Wet or Dry 방식에 따른 극박 게이트 산화막의 전기적 특성 및 저온 Post Anneal 효과의 평가 ( Electrical Properties of Thin Gate Oxide Grown in Wet or Dry Ambient , and Effects of Low Temperature Post Anneal )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
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