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이용수
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Fabrication
Ⅲ. Device Characteristics
Ⅳ. Conclusion
Acknowledgment
References
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Dual-Poly Gate Surface Channel 0.1mm CMOSFETs
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
표면 채널형 0.1㎛ CMOSFET 소자 제작
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
표면 채널형 0.1μm CMOSFET 소자 제작 ( Fabrication of Surface Channel 0.1μm CMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
Dual-Gate Surface Channel 0.1㎛ CMOSFETs
Journal of Electrical Engineering and Information Science
1998 .04
CHARACTERISTICS of CMOSFETs with SPUTTER-DEPOSITED W / TiN STACKED GATE
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1995 .01
Electrical Characterization of the Wet-Grown Ultra-Thin Gate Oxide and its Application to CMOSFETs
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
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2015 .10
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1997 .01
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대한전자공학회 학술대회
2002 .06
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1996 .04
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2005 .07
플라즈마 질화산화막을 적용한 CMOSFET의 질소 농도에 따른 저주파 잡음 특성 분석
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2010 .06
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대한전자공학회 학술대회
1995 .01
Dependence of the 1/f Noise Characteristics of CMOSFETs on Body Bias in Sub-threshold and Strong Inversion Regions
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2013 .12
Nano CMOSFET에서 Channel Stress가 소자에 미치는 영향 분석
전자공학회논문지-SD
2006 .03
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