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표면 채널형 0.1㎛ CMOSFET 소자 제작
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
Dual-Gate Surface Channel 0.1㎛ CMOSFETs
Journal of Electrical Engineering and information Science
1998 .04
Dual-Poly Gate Surface Channel 0.1mm CMOSFETs
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
A Novel High Voltage CMOSFET of 80 Volts Operation
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
티타늄샐리사이드 공정을 이용한 0.1㎛ CMOSFET의 전기적특성 개선
대한전자공학회 학술대회
2002 .06
나노급 소자의 핫캐리어 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2004 .06
얕은 쏘오스/드레인 접합 깊이가 Deep Submicron CMOSFET 소자 특성에 미치는 영향 ( Dependence of Deep Submicron CMOSFET Characteristics on Shallow Source/Drain Junction Depth )
전자공학회논문지-A
1996 .04
CHARACTERISTICS of CMOSFETs with SPUTTER-DEPOSITED W / TiN STACKED GATE
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1995 .01
Electrical Characterization of the Wet-Grown Ultra-Thin Gate Oxide and its Application to CMOSFETs
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
공정 시뮬레이션을 이용한 CMOS소자의 Gate Spacing에 대한 디자인 룰 설정
대한전기학회 학술대회 논문집
2015 .10
나노급 CMOSFET을 위한 SOI 기판에서의 Ni/Co 증착 두께에 따른 Nickel silicide 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2005 .11
Nano CMOSFET에서 Channel Stress가 소자에 미치는 영향 분석
전자공학회논문지-SD
2006 .03
Dependence of the 1/f Noise Characteristics of CMOSFETs on Body Bias in Sub-threshold and Strong Inversion Regions
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2013 .12
0.13㎛ CMOSFET의 차단주파수 및 최대진동주파수 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
CMOS소자의 Metal Contact과 Poly Gate간의 공정 여유도 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2015 .10
플라즈마 질화산화막을 적용한 CMOSFET의 질소 농도에 따른 저주파 잡음 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
Dual-Gate Surface Channel 0.1㎛ CMOSFETs
Journal of Electrical Engineering and Information Science
1998 .04
Nano-CMOSFET를 위한 플라즈마-질화막의 초기 산화막 성장방법에 따른 소자 특성과 저주파 잡음 특성 분석
전기전자재료학회논문지
2007 .01
Nano-Scale CMOSFET에서 Contact Etch Stop Layer의 Mechanical Film Stress에 대한 소자특성 분석
전자공학회논문지-SD
2008 .04
PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
전자공학회논문지-SD
2004 .07
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