표면 채널형 0.1μm CMOSFET 소자 제작 ( Fabrication of Surface Channel 0.1μm CMOSFET )

권혁만 ,  박병국 ,  이종덕

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

표면 채널형 0.1㎛ CMOSFET 소자 제작

권혁만 ,  박병국 ,  이종덕

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Dual-Gate Surface Channel 0.1㎛ CMOSFETs

Hyouk Man Kwon ,  Yeong-Taek Lee ,  Jong Duk Lee 외 2명

Journal of Electrical Engineering and information Science

1998 .04

A Novel High Voltage CMOSFET of 80 Volts Operation

T. P. Rhee ,  H. I. Chae ,  Y. H. Koh 외 3명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

나노급 CMOSFET을 위한 SOI 기판에서의 Ni/Co 증착 두께에 따른 Nickel silicide 특성 분석

정순연 ,  염주호 ,  장흥국 외 8명

대한전자공학회 학술대회

2005 .11

Electrical Characterization of the Wet-Grown Ultra-Thin Gate Oxide and its Application to CMOSFETs

홍성인 ,  이종덕 ,  박병국

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Dual-Poly Gate Surface Channel 0.1mm CMOSFETs

Hyouk Man Kwon ,  Yeong Taek Lee ,  Byung Gook Pa 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

CHARACTERISTICS of CMOSFETs with SPUTTER-DEPOSITED W / TiN STACKED GATE

Mahn Ho Cho ,  Kye Hee Yeom ,  Duck Hyung Lee 외 3명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1995 .01

얕은 쏘오스/드레인 접합 깊이가 Deep Submicron CMOSFET 소자 특성에 미치는 영향 ( Dependence of Deep Submicron CMOSFET Characteristics on Shallow Source/Drain Junction Depth )

노광명 ,  고요환 ,  박찬광 외 3명

전자공학회논문지-A

1996 .04

나노급 소자의 핫캐리어 특성 분석

나준희 ,  최서윤 ,  김용구 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2004 .06

공정 시뮬레이션을 이용한 CMOS소자의 Gate Spacing에 대한 디자인 룰 설정

김도우

대한전기학회 학술대회 논문집

2015 .10

0.13㎛ CMOSFET의 차단주파수 및 최대진동주파수 특성 분석

김종혁 ,  이성현 ,  김영욱

대한전자공학회 학술대회

2006 .06

Dependence of the 1/f Noise Characteristics of CMOSFETs on Body Bias in Sub-threshold and Strong Inversion Regions

Sung-Kyu Kwon ,  Hyuk-Min Kwon ,  Ho-Young Kwak 외 10명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2013 .12

나노급 CMOSFET을 위한 SOI기판에 도핑된 B11을 이용한니켈-실리사이드의 열안정성 개선

정순연 ,  왕진석 ,  김영철 외 6명

전기전자재료학회논문지

2006 .01

Ti Self-Aligned Silicide를 이용한 Contact에서의 전기적 특성

李鐵眞 ,  許允宗 ,  成英權

전기학회논문지

1992 .02

CMOS소자의 Metal Contact과 Poly Gate간의 공정 여유도 분석

김도우

대한전기학회 학술대회 논문집

2015 .10

Improvement of Thermal Stability of Ni-Silicide Using Vacuum Annealing on Boron Cluster Implanted Ultra Shallow Source/Drain for Nano-Scale CMOSFETs

Hong-Sik Shin ,  Se-Kyung Oh ,  Min-Ho Kang 외 2명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2010 .12

플라즈마 질화산화막을 적용한 CMOSFET의 질소 농도에 따른 저주파 잡음 특성 분석

복정득 ,  한인식 ,  권혁민 외 7명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

Nano CMOSFET에서 Channel Stress가 소자에 미치는 영향 분석

한인식 ,  지희환 ,  김경민 외 3명

전자공학회논문지-SD

2006 .03

Nano-CMOSFET를 위한 플라즈마-질화막의 초기 산화막 성장방법에 따른 소자 특성과 저주파 잡음 특성 분석

주한수 ,  한인식 ,  구태규 외 4명

전기전자재료학회논문지

2007 .01