Plasma Properties of Dual-Frequency Inductively Coupled Plasma Source

이승민 ,  김경남 ,  김태형 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2014 .05

Aspect ratio에 따른 Inductively coupled Plasma 특성 연구

조성환 ,  이호준

대한전기학회 학술대회 논문집

2019 .07

Aspect ratio에 따른 Inductively coupled Plasma 특성 연구

조성환 ,  이호준

대한전기학회 학술대회 논문집

2018 .10

고진공에서의 Inductively Coupled Plasma 특성 진단

조성환 ,  이호준

대한전기학회 학술대회 논문집

2020 .07

Pt/4H-SiC Schottky Barrier Diodes의 특성에서 Schottky 접합의 열처리 효과

강수창 ,  금병훈 ,  도석주 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

Plasma Properties by Pulsed Inductively Coupled Plasma Source using Dual Frequency

김태형 ,  김경남 ,  이승민 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2014 .05

Schottky Diode 기반 Multi-Mode Rectifier 설계

강지훈 ,  박형구 ,  장재형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2013 .07

유체시뮬레이션을 통한 Ar/CF₄ 자화유도결합 플라즈마의 특성 연구

김윤기 ,  손의정 ,  위성석 외 2명

전기학회논문지

2015 .04

유도결합형 플라즈마에서 압력에 따른 Ar Gas의 특성분석

조주웅 ,  이영환 ,  허인성 외 4명

대한전기학회 학술대회 논문집

2003 .07

Cl/Ar 플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성

민수련 ,  이장우 ,  조한나 외 1명

공업화학

2007 .01

Enhanced Inductively Coupled Plasma의 자화 주파수 의존 특성

라상호 ,  박세근 ,  오범환

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

Dry Etching Characteristics of TiN Thin Films in BCl_(3-) Based Plasma

Jong-Chang Woo ,  Jung-Soo Pa ,  k 외 1명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2011 .01

Etching Characteristics and Mechanism of Low Temperature Deposited Silicon Nitride Film Using Inductively Coupled CH₂F₂/O₂/Ar Plasma

Jinyoung Son ,  Junmyung Lee ,  Inwoo Chun 외 3명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

유체 시뮬레이션을 이용한 유도결합 Ar/CH₄ 플라즈마의 특성 분석

차주홍 ,  이호준

전기학회논문지

2016 .08

유도결합형 Ar 플라즈마의 압력에 따른 전기적 특성분석

趙胄雄 ,  李永煥 ,  金光洙 외 3명

전기학회논문지 C

2004 .03

Inductively coupled plasma를 이용한 ITO표면의 O₂ plasma 처리 후 유기 발광 소자의 특성

김미숙 ,  정창현 ,  임종태 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2005 .11

Design, Fabrication, and Characterizations of 1.2-kV 4H-SiC Junction Barrier Schottky(JBS) Rectifiers

Yong-Jae Lee ,  Hee-Jong Jung ,  Wook Bang 외 1명

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

2006 .06

UV detector를 위한 4H-SiC Schottky Photodiode의 제작

정상용 ,  나훈주 ,  송호근 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2004 .01

PECVD로 증착된 SiC 박막의 다양한 금속으로 제작된 SiC Schottky diode 전기적 특성에 따른 연구

송진형 ,  김정우 ,  김지균 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2004 .11

고온 , 고전압 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구 ( Fabrications and Characterization of High Temperature , High Voltage Ni/6H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes )

이호승 ,  이상욱 ,  신동혁 외 2명

전자공학회논문지-D

1998 .11