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논문 기본 정보
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- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.2
- 발행연도
- 2016.4
- 수록면
- 147 - 152 (6page)
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In this study, we fabricated Ag-based electrochemical metallization memory devices which is also called conductive-bridge random-access memory (CBRAM) in order to investigate the resistive switching behavior depending on the bottom electrode (BE). RRAM cells of two different layer configurations having Ag/Si₃N₄/TiN and Ag/Si₃N₄/p+ Si are studied for metal-insulator-metal (MIM) and metal-insulator-silicon (MIS) structures, respectively. Switching voltages including forming/set/reset are lower for MIM than for MIS structure. It is found that the workfunction different affects the performances.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (23)
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R. Waser and M. Aono, “Nanoionics-based resistive switching memories,” Nat. Mater., vol. 6, no. 11, pp. 833-840, Nov. 2011.
H. Zhang, L. Liu, B. Gao, Y. Qiu, X. Liu, J. Lu, R. Han, J. Kang, and B. Yu, “Gd-doping effect on performance of HfO2 based resistive switching memory devices using implantation approach,” Appl. Phys. Lett., vol. 98, no. 4, pp. 042105-1- 042105-3, Jan. 2011.
H.-D. Kim, M. J. Yun, and S. Kim, “All ITO-Based Trasparent Resistive Switching Random Access Memory Using Oxygen Doping Method,” J. Alloy. Compd., vol. 653, pp. 534-538, Dec. 2015.
H.-D. Kim, M. J. Yun, and T. G. Kim, “Formingfree bipolar resistive switching in nonstoichiometric ceria films,” Phys. Status Solidi. R., vol. 9, no. 4, pp. 264-268, Mar. 2015.
S. Kim, S. Jung, and B.-G. Park, “Investigation of bipolar resistive switching characteristics in Si3N4- based RRAM with metal-insulator-silicon structure,” Int. J. Nanotechnol., vol. 11, no. 1-4, pp. 126-134, Mar. 2014.
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