Approaches to Improve Mobility and Stability of IGZO TFTs: A Brief Review

Zhong Pan; Yifan Hu; Jingwen Chen; Fucheng Wang; 정여진; Duy Phong Pham; 이준신

doi:https://doi.org/10.1007/s42341-024-00536-1

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저자정보: Zhong Pan (Sungkyunkwan University) Yifan Hu (Sungkyunkwan University) Jingwen Chen (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) Fucheng Wang (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) 정여진 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) Duy Phong Pham (Sungkyunkwan University) 이준신 (성균관대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials Vol.25 No.4

발행연도: 2024.8

수록면: 371 - 379 (9page)

DOI: https://doi.org/10.1007/s42341-024-00536-1

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Among metal oxide material TFTs, IGZO TFTs are highly regarded for their exceptionally high mobility, exceeding 10 cm²/V·s, remarkable transparency of more than 80%, and their adaptable low-temperature fabrication techniques. High-performance displays operating at refresh rates of up to 144 Hz and undergoing millions of device switches demand IGZO TFTs with mobility exceeding 20 cm²/V·s and higher stability against impulse stress. The eff ect of IGZO material composition on device stability and recent strategies to promote the mobility and stability of IGZO TFT by modifying the transistor structure, preparation process, and post-processing techniques to reduce V O have been discussed. The paper describes the application of IGZO TFTs in flexible electronics.

#Thin film transistor #Oxygen vacancy #IGZO #Process #Annealing #Passivation layer

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