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논문 기본 정보
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- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Vol.35 No.12
- 발행연도
- 2018.12
- 수록면
- 1,163 - 1,168 (6page)
- DOI
- 10.7736/KSPE.2018.35.12.1163
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Silicon nitride/cobalt tungsten boride (SiN/CoWB) passivation layer improves mass transport rate at copper thin film layers of semiconductor wafers after chemical mechanical polishing process. This study evaluates mass transport at the interface between copper and passivation layers by stress relaxation method, followed by deduction of interface diffusivity via a kinetic model. For comparison, SiN/CoWB, SiN, silicon carbon nitride (SiCN) and silicon carbide (SiC) passivation layers are introduced. A thin layer of SiN/CoWB demonstrates an outstanding performance as diffusion retarding material, especially at high temperature. The order of stress relaxation in terms of passivation layers is SiN/CoWB < SiN < SiCN < SiC, implying the order of mass transport at the interface. Using the kinetic model, the diffusivities and activation energies regarding passivation layers are calculated and reveal a good agreement with experimental results.
목차
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 논의
4. 결론
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참고문헌 (46)
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Lee, K.-D., Ogawa, E. T., Yoon, S., Lu, X., and Ho, P. S., Electromigration Reliability of Dual-Damascene Cu/Porous ethylsilsesquioxane Low K Interconnects, Applied Physics etters, Vol. 82, No. 13, pp. 2032-2034, 2003.
Lee, K.-D., Ogawa, E. T., Yoon, S., Lu, X., and Ho, P. S., “Electromigration Reliability of Dual-Damascene Cu/Porous Methylsilsesquioxane Low K Interconnects,” Applied Physics Letters, Vol. 82, No. 13, pp. 2032-2034, 2003.
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Lee, D., Lee, H., and Jeong, H., “Slurry Components in Metal Chemical Mechanical Planarization (CMP) Process: A Review,” International Journal of Precision Engineering and Manufacturing, Vol. 17, No. 12, pp. 1751-1762, 2016.
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