실리콘 기판과 CoSi2 버퍼층 위에 HVPE로 저온에서 형성된 GaN의 에피텍셜  성장 연구

하준석; 박종성; 송오성; T.YAO; 장지호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 하준석 박종성 송오성 T.YAO 장지호

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제19권 제4호

발행연도: 2009.1

수록면: 159 - 164 (6page)

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실리콘 기판에 GaN 에피성장을 확인하기 위해, P형 Si(100), Si(111) 기판 전면에 버퍼층으로 40 nm 두께의 코 발트실리사이드를 형성시켰다. 형성된 코발트실리사이드 층에 연속으로 HVPE(hydride vapor phase epitaxy)로 하나는 850 o C-12분 + 1080 o C-30분(공정I)과, 또 하나 조건은 557 o C-5분 + 900 o C-5분(공정II) 조건으로 각각 나누어 진행하여 보았다. GaN의 에피성장을 광학현미경, 주사전자현미경, 주사탐침현미경, 그리고 HR-XRD로 확인하였다. 공정I로는 GaN의 에피성 장이 진행되지 않았으며, 공정II에서는 에피성장이 진행되었다. 특히 공정II는 열팽창에 의해 실리콘 기판과의 자가정렬적 인 기판분리 현상을 보였으며, XRD로 GaN의 0002 방향의 결정성 (crystallinity)을 ω-scan으로 확인한 결과 (100)면 방향의 실리콘과 코발트실리사이드를 버퍼층으로 활용하고 저온에서 HVPE를 진행한 조합이 GaN의 에피성장에 유리하였다.

#GaN #Epitaxy #HVPE #Cobalt silicide #Buffer layer #Silicon substrate

참고문헌 (21)

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A.D. Williams / 2007 / Formation of large-area freestanding gallium nitride substrates by natural stress-induced separation of GaN and sapphire” / J. Crys. Growth 300 : 37

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