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To evaluate surface characteristics of AlN single crystal grown by physical vapor transport (PVT) method, chemical mechanical polishing (CMP) were performed with diamond slurry and SiO2 slurry after mechanical polishing (MP), then the surface morphology and analysis of polishing characteristics of the slurry types were analyzed. To estimate how pH of slurry effects polishing process, pH of SiO2 slurry was controlled, the results from estimating the effect of zeta potential and MRR (material removal rate) were compared in accordance with each pH via zeta potential analyzer. Eventually, surface roughness RMS (0.2 nm) could be derived with atomic force microscope (AFM).
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H. Morkoc / 1994 / Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / J. Appl. Phys. 76:1363
E.N. Mokhov / 2005 / Ublimation growth of AlN bulk crystals on Ta crucibles / J. Cryst. Growth 281:93
J.C. Rojo / 2001 / Single-crystal aluminum nitride substrate preparation from bulk crystals / Mater. Sci. Res. Soc. Symp. Proc 680E:E2.1.1
A. Jacquot / 2002 / Optical and thermal characterization of AlN thin films deposited by pulsed laser deposition / Appl. Surf. Sci. 186:507
M. Pons / 2013 / High temperature chemical vapor deposition of aluminum nitride, growth and evaluation / Surf. Coat. Tech. 230:111
E.N. Mokhov / 2005 / Ublimation growth of AlN bulk crystals on Ta crucibles / J. Cryst. Growth 281:93
J.C. Rojo / 2001 / Single-crystal aluminum nitride substrate preparation from bulk crystals / Mater. Sci. Res. Soc. Symp. Proc 680E:E2.1.1
A. Jacquot / 2002 / Optical and thermal characterization of AlN thin films deposited by pulsed laser deposition / Appl. Surf. Sci. 186:507
M. Pons / 2013 / High temperature chemical vapor deposition of aluminum nitride, growth and evaluation / Surf. Coat. Tech. 230:111
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