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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
강승민 (한서대학교) 인경필 ((주)세라컴)
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제34권 제1호
발행연도
2024.2
수록면
36 - 39 (4page)
DOI
10.6111/JKCGCT.2024.34.1.036

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최근 전력반도체에 대한 관심이 확대되고 있는 가운데, SiC와 GaN 등의 광에너지갭 소재에 의한 소자화 및 응용에 대한 연구가 수행되고 있다. AlN 단결정은 이들 보다 더 큰 에너지갭을 갖기 때문에 대전력 소자화에 대한 연구도 진행중에 있으나 , 상용화된 웨이퍼는 아직 보고되고 있지 않아 이에 대한 연구가 필요하다. 본 연구에서는 AlN 단결정을 제조하기 위하여 HVPE(Hydride vapor phase epitaxy) 법을 적용하였고, 자체 제작 설비를 이용하여, 벌크 단결정을 얻어내고자 하였으며, 이를 위해 단결정의 성장 조건을 확보하고자 한 결과를 보고하고자 하며, 온도의 변화에 따라 성장된 결정의 형상의 변화에 대하여 보고하고자 한다.
#HVPE #AlN #Single crystal #Growth #Temperature change

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