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자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제13권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
175 - 181 (7page)

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A pressure sensor for high temperature was fabricated by using a SDB(Silicon-Direct-Bonding) wafer with a Si/SiO2/Si structure. High pressure sensitivity was shown from the sensor using a single crystal silicon of the first layer as apiezoresistive layer. It also was made feasible to use under the high temperature as of over 120oC, which is generalyknown as the critical temperature for the general silicon sensor, by isolating the piezoresistive layer dielectrically andthermally from the silicon substrate with a silicon dioxide layer of the second layer. The pressure sensor fabricated inthis research showed very high sensitivity as of 183.6mV/V kPa, and its characteristics also showed an excellent linearitywith low hysteresis. This sensor was usable up to the high temperature range of 300oC.
#pressure sensor #high temperature #silicon #SDB1. .. . !

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