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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제9호
발행연도
2003.1
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This paper describes the fabrication and characteristics of ceramic thin-film type pressure sensors based on Ta-N strain-gauges for high temperature. Ta-N thin-film strain-gauges are deposited onto a thermally oxidized Si diaphragm by RF sputtering in an argon-nitrogen atmosphere(N2 gas ratio: 8 %, annealing condition: 900℃, 1 hr.), patterned on a wheatstone bridge configuration, and used as pressure sensing elements with a high stability and a high gauge factor. The sensitivity is 1.097 ～ 1.21 mV/V․kgf/㎠ in the temperature range of 25 ～ 200℃ and the maximum non-linearity is 0.43 %FS. The fabricated pressure sensor presents a lower TCR(temperature coefficient of resistance), non-linearity than existing Si piezoresistive pressure sensors. The fabricated ceramic thin-film type pressure sensor is expected to be usefully applied as pressure and load sensors that is operable under high-temperature.
#ceramic thin-film pressure sensor #Ta-N #strain-gauge #TCR #non-linearity

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