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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제8호
발행연도
2003.1
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This paper presents the new fabrication method of selective SiGe epitaxial growth at 650 ℃ on (100) silicon wafer with oxide patterns by reduced pressure chemical vapor deposition. A new method is characterized by a cyclic process, which is composed of two parts: initially, selective SiGe epitaxy layer is grown on exposed bare silicon during a short incubation time by SiH4/GeH4/HCl/H2 system and followed etching step is achieved to remove the SiGe nuclei on oxide by HCl/H2 system without source gas flow. As a result, we noted that the addition of HCl serves not only to reduce the growth rate on bare Si, but also to suppress the nucleation on SiO2. In addition, we confirmed that the incubation period is regenerated after etching step, so it is possible to grow thick SiGe epitaxial layer sustaining the selectivity. The effect of the addition of HCl and dopants incorporation was investigated.
#SEG #SiGe #selectivity #incubation time #RPCVD

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