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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제6호
발행연도
2005.1
수록면
493 - 498 (6page)

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Al doped Zinc Oxide, which is widely used as a transparent conductor in opto-electronic devices. In this paper, we find that the lateral variations of the parameters of the ZnO:Al films prepared by the rf magnetron sputtering can be reduced to acceptable levels by optimising the deposition parameters. The effect of bias voltage on the electrical, optical and morphological properties were investigated experimentally. we investigated sample properties of Bias Voltage change in 0 to 50 V.
#RF magnetorn sputtering #Transmittance #Hall effect #Bias voltage.

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참고문헌 (5)

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/ 1996. / Growth and cathodoluminescence study of CuAlSe2 single crystals 158 (3) : 385 ~ google schola / 1997. / Mechanical pro-perties of r.f. magnetron sputtered indium tin oxide films 293 (12) : 244 ~ google schola / 2000. / Influence of oxygen partial pressure on transparency and conductivity of RF sputtered Al-doped ZnO thin films 157 (12) : 47 ~ google schola / 2004. / Growth and effect of thermal annealing for ZnO thin film by pulsed laser deposition J. of KIEEME 17 : 467 ~ google schola / p.19091976. / JPnS. J. of Applied Phy. 15 google schola

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