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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제2호
발행연도
2006.1
수록면
109 - 115 (7page)

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Indium tin oxide (ITO) films have been prepared by DC magnetron sputtering. In order to improve the utilization efficiency of the target and reduce the cost of the film deposition processes, the powder target was used instead of the conventional ceramic target. As-deposited films were annealed at temperatures between 200 ℃ and 500 ℃ for 30 min in air. Also, the film was annealed in various atmospheres such as air, O2, H2, N2, and vacuum at 400 ℃ for 30 min. Effects of the heat treatment conditions on structural, electrical, and optical properties of ITO films were investigated. The annealing temperature of 400 ℃ and atmospheres of H2 and N2 seem to be the most suitable conditions for post processing.

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