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학술저널
저자정보
이재영 (울산대학교 첨단소재공학부) 박지혜 (울산대학교 첨단소재공학부) 김유성 (울산대학교 첨단소재공학부) 천희곤 (울산대학교 첨단소재공학부) 유용주 (울산대학교 첨단소재공학부) 김대일 (울산대학교 첨단소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제17권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
227 - 231 (5page)

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Transparent conducting indium tin oxide (ITO) films were deposited onto the Polyethersulfone (PES) substrate by using a magnetron sputter type negative metal ion source. In order to investigate the influence of cesium (Cs) partial pressure during deposition and annealing temperature on the optoelectrical properties of ITO/PES film the films were deposited under different Cs partial pressures and post deposition annealed under different annealing temperature from $100^{\circ}C$ to $170^{\circ}C$ for 20 min at $3\;{\times}\;10^{-1}$ Pa. Optoeleetrical properties of ITO films deposited without intentional substrate heating was influenced strongly by the Cs partial pressure and the Cs partial pressure of $1.5\;{\times}\;10^{-3}$ Pa was characterized as an optimal Cs flow condition. By increasing post-deposition vacuum annealing temperature both optical transmission in visible light region and electrical conductivity of ITO films were increased. Atomic force microscopy (AFM) micrographs showed that the surface roughness also varied with post-deposition vacuum annealing temperature.

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