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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제12호
발행연도
2007.1
수록면
1,072 - 1,076 (5page)

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We prepared the Al doped ZnO (AZO) thin film on polyethersulfon (PES) without any substrate heating by Facing Targets Sputtering (FTS) system. FTS system has two different facing targets. One is ZnO doped the content of Al 2 wt% and the other is Zn in order to decrease resistivity. The electrical, structural and optical properties of AZO thin films were investigated. To evaluate the as-deposited thin film properties, we employed four-point probe (CMT-R100nw, Changmin), Surface profiler (Alpha-step, Tencor), UV/VIS spectrometer (HP), X-ray diffractometer (XRD, Rigaku) and Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM, Hitachi S-4700). As a result, We obtained that AZO thin film deposited on PES substrate at a DC power of 150 W, working pressure of 1 mTorr and O2 gas flow ratio of 0.2 exhibited the resistivity of 4.2×10-4 [Ωcm] and the optical transmittance of about 85 % in the visible range.

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