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논문 기본 정보

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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제9호
발행연도
2004.1
수록면
979 - 982 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2004

산소 가스 유량비 따른 ZnO 박막의 결정학적 특성에 관한 연구
금민종 ,  김현웅 ,  김경환 한국진공학회 학술발표회초록집 2004.02 학술대회자료
FTS법으로 제작한 ZnO/AZO 박막의 결정학적 특성
금민종 ,  최형욱 ,  김경환 외 2명 전기전자재료학회논문지 2004.01 학술저널

2003

ZnO Buffer Layer에 의한 ZnO 박막의 결정학적 특성에 관한 연구
금민종 ,  손인환 ,  이정석 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2003.12 학술저널
Buffer Layer에 의한 ZnO 박막의 결정학적 특성에 관한 연구
금민종 ,  손인환 ,  이정석 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2003.02 학술대회자료
FBAR용 ZnO/SiO2/Si 박막의 결정학적 특성에 관한 연구
금민종 ,  손인환 ,  최명규 외 4명 전기전자재료학회논문지 2003.01 학술저널

초록· 키워드

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The ZnO thin films were prepared by the FTS (facing target sputtering) system, which enables to provide high density plasma and a high deposition rate at a low working gas pressure. We introduced the AZO thin film in order to improve the crystallographic properties of ZnO thin film because of the AZO(ZnO:Al) thin film has an equal crystal structure to the ZnO thin film. ZnO/AZO thin films were deposited at a different oxygen gas flow ratio, R.T. 2mTorr working pressure and a 0.8A sputtering current. The film thickness and c-axis preferred orientation of ZnO/AZO/glass thin films were measured by α-step and an x-ray diffraction (XRD) instrument. In the results, we could prepare the ZnO thin film with c-axis preferred orientation of about 6° on substrate temperature R.T. at O2 gas flow rate 0.5.
#ZnO #AZO #ZnO/AZO #C-axis orientation #FTS

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참고문헌 (8)

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/ 1986. / ZnO processing for integrated optic sensors 137 : 185 ~ google schola / 1992. / Film bulk acoustic wave resonator and filter tech- nology : 153 ~ google schola / 1998. / 대향타겟식 스퍼터링에 의한 Co-Cr 박막의 제작 11 (5) : 418 ~ google schola / 2001. / RF 마그네트론 스퍼터링에 의한 ZnO 박막 SAW필터에 관한 연구 14 (6) : 481 ~ google schola / 2001. / Thin Film properties by facing targets sputtering system 169 (170) : 409 ~ google schola

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