Electrical Properties of Boron and Phosphorus Doped μc-Si:H Films using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition Method for Solar Cell Applications

Chaehwan Jeong; Minsung Jeon; Kamisako Koichi

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자료유형: 학술저널

저자정보: Chaehwan Jeong Minsung Jeon Kamisako Koichi

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제1호

발행연도: 2008.1

수록면: 28 - 32 (5page)

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Hydrogenated microcrystalline silicon(μc-Si:H) films were prepared using inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD) method, electrical and optical properties of these films were studied as a function of silane concentration. And then, effect of PH₃ and B₂H6 addition on their electrical properties was also investigated for solar cell application. Characterization of these films from X-ray diffraction revealed that the conductive film exists in microcrystalline phase embedded in an amorphous network. At PH₃/SiH₄ gas ratio of 0.9´10-³, dark conductivity has a maximum value of ~18.5 S/cm and optical bandgap also a maximum value of ~2.39 eV. Boron-doped μc-Si:H films, satisfied with p-layer of solar cell, could be obtained at ~10-² of B₂H6/SiH₄.

#ICP-CVD #Microcrystalline Si #Solar cell #Boron #Phosphorus #Conductivity

참고문헌 (12)

참고문헌 신청

A. Matsuda / 1987 / Guiding principle for preparing highly photosensitive Si-based amorphous alloys / J. Non-Cryst. Solids 97-98 : 1367 ~

C. Wang / 1990 / Intrinsic micro-crystalline silicon deposited by remote PECVD: A new thin-fim photovoltaic material / Proc. 21st IEEE Photovoltaic Specialist Conference : 614 ~

G.E. Jellison, Jr. / 2000 / Characterization of thin-film amorphous semiconductors using spectroscopic ellipsometry / Thin Solid Films 377-378 : 68 ~

J. Meier / 1994 / Complete microcrystalline p-i-n solar cell-crystalline or amorphous cell behavior? / Appl. Phys. Lett 65 (7) : 860 ~

J. Poortmans / 2006 / Thin Fim Solar Cells: Fabrication, Characterization and Applications / Wiley, Chichester : 183 ~

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