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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제3권 제4호
발행연도
2002.1
수록면
1 - 4 (4page)

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As the application of semiconductor chips into electronics increases, it requires more complete integration, which results in higher performance. And it needs minimization in device design for cost saving of manufacture. Therefore oxide gap fill has become one of the major issues in sub-micron devices. Currently HDP (High-Density Plasma) CVD system is widely used in IMD (Inter Metal Dielectric) to fill narrower space between metal lines. However, HDP-CVD system has some potential problems such as plasma charging damage, metal damage and etc. Therefore, we will introduce about one of via resistance failure by metal damage and a preventive method in this paper.
#HDP #High-Density Plasma) #plasma charging damage #metal damage #Gap fill #IMD #Inter Metal Dielectric) #Via Resistance

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