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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제5호
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2002.1
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I have investigated the effects of annealing from a polymeric α-C3N4.2 at high pressure and temperature in the presence of seeds of crystalline carbon nitride films prepared by a high voltage discharge plasma. The samples were evaluated by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), infrared spectroscopy, Auger electron spectroscopy and x-ray diffraction(XRD). Notably, XPS studies of the film composition before and after annealing demonstrate that the nitrogen composition in α-C3N4.2 material initially containing more than 58% nitrogen decreases during the annealing process and reaches a common, stable composition of ~43 %. XPS analysis also shows that the nitrogen composition in the annealed films without polymeric α-C3N4.2 was reduced from 35 % to 17 %. Furthermore the concentration of the sp3 bonded phase increases with the increment of the annealing temperature.

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