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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제2호
발행연도
2002.1
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Carbon nitride films were grown on Si (100) substrate by a laser-electric discharge method with/without a magnetic field assistance. The magnetic field leads to vapor plume plasma expending upon the ambient arc discharge plasma area. Influence of the magnetic field has resulted in increase of a crystallite size in the films due to bombardment (heating) of Si substrates by energetic carbon and nitrogen species generated during cyclotron motion of electrons in the discharge zone. The surface morphology of the films with a deposition time of 2 hours was studied using a scanning electron microscopy (SEM). In order to determine the structural crystalline parameters, X-ray diffraction (XRD) was used to analysis the grown films.
#Carbon nitride films #Magnetic field #Laser-electric discharge method #Crystalline structure #XRD

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