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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제7호
발행연도
2003.1
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The dielectric carbon nitride thin films were deposited onto Si(100) substrate using a pulsed laser ablation of pure graphite target combined with a high voltage discharge plasma in the presence of a N2 reactive gas. We calculated dielectric constant, εs, with a capacitance Schering bridge method. We investigated the influence of the laser ablation of graphite target and DC high voltage source for the plasma. The properties of the deposited carbon nitride thin films were influenced by the high voltage source during the film growth. Deposition rate of carbon nitride films were increased drastically with the increase of high voltage source. Infrared absorption clearly shows the existence of C=N bonds and C≡N bonds. The carbon nitride thin films were observed crystalline phase confirmed by x-ray diffraction data.
#high voltage discharge plasma #dielectric carbon nitride thin film #Infrared spectroscopy #IR) #X-ray diffraction #XRD)

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