ZTO 박막의 부성저항에 의한 전류전압특성

오데레사

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자료유형: 학술저널

저자정보: 오데레사 (청주대학교 반도체공학과)

저널정보: 한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제18권 제2호

발행연도: 2019.1

수록면: 29 - 31 (3page)

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The ZTO/p-Si thin film was produced and investigated for tunneling phenomena caused by the interface characteristics of the depletion layer. ZTO thin film was deposited and heat treated to produce barrier potentials by the depletion layer. The negative resistance characteristics were shown in the thin film of ZTO heat treated at $100^{\circ}C$, and the insulation properties were the best. Current decreased in the negative voltage direction by nonlinear show key characteristics, and current decreased in tunneling phenomenon by negative resistance in the positive voltage direction. Heat treated at $100^{\circ}C$, the ZTO thin film has increased barrier potential in the areas of the depletion layer and therefore the current has increased rapidly. The current has decreased again as we go beyond the depletion layer. Therefore, tunneling can be seen to make insulation better. In the ZTO thin film heat treated at $70^{\circ}C$ without tunneling, leakage current occurred as current increased at positive voltage. Therefore, tunneling effects by negative resistance were found to enhance insulation properties electrically.

#Depletion Layer #ZTO #Tunneling #Negative Resistance #Barrier Potential

참고문헌 (10)

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윤길상 / 2018 / 고성능 TFT 소자 응용을 위한 폴리스티렌 나노입자를이용한 나노 그물망 제작공정 개발 / 반도체디스플레이기술학회지 17(3):36~40

이상헌 / 2002 / 실리콘을 첨가한 주석 산화물 박막의 전기 화학적 특성 / 한국재료학회지 12(4):240~247

Z. M. Jarzebski / 1976 / Physical Properties of SnO2 Materials I . Preparation and Defect Structure / Journal of the electrochemical Society 123:199~203

이성훈 / 2017 / 고연색 LED용 적색 Sr2Si5N8:Eu2+ 형광체의 합성 및 발광 특성 연구 / 반도체디스플레이기술학회지 16(4):11~15

Paranjape MA / 2002 / Metal-organic chemical vapour deposition of thin films of cobalt on different substrates: study of microstructure / Thin Solid Films 413(1-2):8~15

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