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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 481 - 485 (5page)
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본 연구에서는 용액 공정으로 형성된 n-ZTO/p-SiC 이종접합 열처리 효과 및 온도특성을 특성을 분석하였다. ZTO 박막은 p-type SiC 위에 용액 공정으로 증착하였다. 그 결과 500°C에서 열처리 후 소자에서 Ion/Ioff가 ~5.13×107에서 ~1.11×109 증가하였다. 이는 ZTO 박막의 농도가 증가하였으며, 전압-캐패시턴스 그래프를 통해 확인할 수 있다. 게다가, ZTO/SiC 이종접합 다이오를 300 K에서 500 K로 증가시키며 I-V 측정을 하였다. 온도가 300 K에서 500 K로 증가할 때, 역방향 전류의 변화는 열처리 전 소자보다 열처리 후 소자에서 더 높았다. 이는 ZTO/SiC 사이의 전위 장벽 차이와 관련된 것으로 확인할 수 있다. 본 연구 결과를 통해 용액 공정된 ZTO/SiC 이종접합 다이오드에서 열처리 전, 후에 따라 박막의 전기적 특성을 제어할 수 있음을 확인할 수 있다.
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참고문헌 (15)
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C. Yuen / 2005 / / Appl. Phys. Lett. 86 : 241111 ~
D. K. Schroder / 2006 / Semiconductor Materials and Device Characterization
F. Yakuphanoglu / 2010 / / Materials Science in Semiconductor Processing 13 : 137 ~
H. Asil / 2013 / / International Journal of Physical Sciences 8 : 371 ~
I. Shtepliuk / 2013 / / Solid-State Electronics 81 : 72 ~
D. K. Schroder / 2006 / Semiconductor Materials and Device Characterization
F. Yakuphanoglu / 2010 / / Materials Science in Semiconductor Processing 13 : 137 ~
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