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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제1호
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 24 - 27 (4page)
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ZnO has intensively attracted interest for the next generation of short wavelength LEDs and semiconductor lasers. However, for the development and application of the devices based on this material, the fabrication of p-type ZnO thin films is pivotal. Generally, the process of preparation of ZnO is unavoidably accompanied by the natural donor ions such as interstitial Zn ions and oxygen vacancy ions that show n-type electrical property and make fabrication of p-type ZnO to be a hard problem. On this study, to realize stable high-quality p-type ZnO thin films, the undoped ZnO thin films were diffused with P in vapor state. The ZnO:P thin films showed high-quality p-type properties electrically and optically.
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A. Tsukazaki / 2005 / Blue light-emitting diode based on ZnO / J. J. Appl. Phys 44 (21) : L643 ~
A. Tsukazaki / 2005 / Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO / Nat. Mater 4 : 42 ~
Chongmu Lee / 2006 / Effects of the Annealing Temperature on the Electrical Properties of p-Type ZnO Films Grown on (0001) Sapphire Substrates by Using Atomic Layer Epitaxy
D. C. Look / 2004 / P-type doping and devices based on ZnO / Phys. Stat. Sol. (b) 241 (3) : 624 ~
K. K. Kim / 2003 / Realization of p-type ZnO thin films via phosphorus doping and thermal activation of the dopant / Appl. Phys. Lett 83 (1) : 63 ~
A. Tsukazaki / 2005 / Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO / Nat. Mater 4 : 42 ~
Chongmu Lee / 2006 / Effects of the Annealing Temperature on the Electrical Properties of p-Type ZnO Films Grown on (0001) Sapphire Substrates by Using Atomic Layer Epitaxy
D. C. Look / 2004 / P-type doping and devices based on ZnO / Phys. Stat. Sol. (b) 241 (3) : 624 ~
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