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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 400 - 403 (4page)
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비정질 GeSe 박막을 이용한 Al/Ti/GeSe/n+ poly Si 구조의 저항성 메모리(ReRAM)의 저항성 메모리 특성이 확인되었다. 이 ReRAM은 쌍극성 저항성 메모리 특성을 보였다. 칼코겐 양이온과 음이온의 생성과 재결합은 쌍극성 스위칭 동작을 설명하기에 적절하였다. 공간 전하 제한 전류 이론과 Poole-Frenkel 이론으로 비정질 GeSe 박막 내부의 전도성 경로를 설명 할 수 있었다. 결과는 안정적인 스위칭 특성과 뛰어난 신뢰성을 보여주었다. 400℃의 열처리 공정으로 저온 공정의 가능성을 확보하였다. 매우 낮은 동작전압은 저전력 동작의 가능성을 보여주었다. 특히, n+ poly Si 기반의 GeSe ReRAM은 박막 트랜지스터 (TFT)로의 적용 가능성을 보여주었다.
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