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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제4호
발행연도
1993.12
수록면
462 - 467 (6page)

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ECR PECVD(Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치를 이용하여 (100) 실리콘 기판 위에 실리콘 산화막을 상온에서 증착하였다. 기체 유량비(SiH₄/O₂) 가 막의 성질에 미치는 영향을 고찰하여 최적의 증착 조건을 도출하였다. 기체 유량비가 0.071일 때 비가역 파괴 전장은 9~10 MV/㎝ 이었고, 4~5MV/㎝의 전장하에서도 누설 전류는 ~10^(-11)A/㎠이었다. 이러한 수치들은 액정 표시 소자용 박막 트랜지스터와 같이 저온의 제조공정이 요구되는 소자를 만들기에 충분하다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Experimental

3. Results and Discussion

4. Conclusions

Acknowledgement

References

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