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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제4호
발행연도
1993.12
수록면
468 - 473 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (6)

1996

급속열처리에 따른 Si 이온주입 유기결함의 회복 거동 ( Annealing Behaviors of Various Defects in Si during Rapid Thermal Annealing )
김광일 ,  권영규 ,  정욱진 외 2명 대한전자공학회 워크샵 1996.01 학술대회자료

1994

Si+ 이온주입된 Si 기판의 결함형성 및 회복에 관한 연구 ( Characteristics of Si + - self implant Damage and Its Annealing Behavior )
김광일 ,  이상환 ,  정욱진 외 4명 전자공학회논문지-A 1994.08 학술저널

1993

Ar이 이온주입된 Si 기판의 결함회복 특성
김광일 ,  이상환 ,  정욱진 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 1993.12 학술저널
1 MeV argon 이온주입에의해 유기된 결함 및 회복기구의 XTEM 분석 ( XTEM Study of 1 MeV Ion Implantation Induced Defects in Si and Their Annealing Behavior )
김광일 ,  권영규 ,  배영호 외 4명 전자공학회논문지-A 1993.08 학술저널

1990

Ar+ 이론 주입된 Silicon 기판의 깊은준위 특성
김광일 ,  권영규 ,  배영호 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1990.11 학술대회자료
Ar+ 이온 주입된 Silicon 기판의 깊은준위 특성 ( Electronic Properties of Deep Level Defects in Ar+ Implanted Silicon )
김광일 ,  권영규 ,  배영호 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1990.11 학술대회자료

초록· 키워드

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Si 기판에 Ar 이온을 주입하였을 때 형성된 결함의 급속열처리 온도에 따른 성장 및 회복기구를 단면 투과전자현미경과 RB(Rutherford backscattering) spectra 그리고 thermal wave(TW) modulation reflectance법으로 분석하였다. Dose 량이 1×10^(15)㎝^(-2)의 경우에 표면에서부터 연속적인 비정질층이 형성되었으나, 그 이하의 dose량에서는 비정질층이 형성되지 않았다. 비정질층이 형성되지 않은 시편은 열처리온도가 올라감에 따라서 서서히 결함이 회복되지만 1100℃의 고온에서도 많은 결함이 소멸되지 않고 남아있었다. 그리고, 표면으로부터 연속적으로 형성된 비정질층은 열처리에 의해 재결정화가 진행되나 비정질/결정질 계면의 기복이 심하고 이로 인해 micro twin, 결함 cluster 등이 밀집된 또다른 결함층을 표면 근처에 형성하며, 이들 결함들은 고온에서도 완전히 소멸되지 않았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 말씀

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