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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제3호
발행연도
1996.9
수록면
218 - 222 (5page)

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(100) Si 웨이퍼에 고농도의 As이온을 주입한 후 여러가지 열적 어닐링 처리를 하였을 때 이온 주입층 내부에 나타나는 격자변형층(strained layer)과 깊이 방향의 변형률 분포(strain depth distribution)를 X-ray 로킹 커브 측정과 로킹커브 시뮬레이션(simulation)을 통하여 살펴 보았다. 어닐링 처리전의 비정질/결정질층 계변인 약 1400Å 깊이에서 일정한 두께의 결함층이 형성되어 있다는 것을 알 수가 있었다. 그리고 As 농도분포 및 총 결함 분포(net defect distribution)를 각각 SIMS와 TRIM code를 이용하여 구하였다. 600℃ 열처리한 시료에서 로킹커브 분석에 의해 나타난 positive 변형은 오직 0.14 ㎛ 하단에서 나타나고 있었다. 이것은 본 실험의 이온주입 조건에서 생성되는 비정질 층의 두께가 0.14 ㎛ 임을 간접적으로 보여주고 있는 것이며, TRIM-Code로부터 분석된 결과와 잘 일치하고 있었다. 또한 로킹커브의 분석에 의해 나타나는 positive 변형의 원인은 이온 주업에 의해 형성된 비정질/단결정 계면(amorphous/crystalline interface) 하단의 잉여 interstitial에 의한 영향이라 판단된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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