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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1992.2
- 수록면
- 145 - 152 (8page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
1991
CHF3 / C2F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향 ( The Effects of Photoresist Layer on the Characteristics of Si-Surface Residue Induced by CHF3 / C2F6 Reactive Ion Eching )
권광호
,
이수민
,
이종석
외 6명
대한전자공학회 학술대회
1991.07
학술대회자료
CHF₃/ C₂F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향
권광호
,
이수민
,
이종석
외 7명
대한전자공학회 학술대회
1991.06
학술대회자료
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실리콘을 CHF₃/C₂F_6 가스 플라즈마를 이용하여 식각하면 실리콘위에 탄소, 불소 및 산소로 이루어진 잔류막이 형성된다. 이 잔류막을 XPS로 분석한 결과 탄소는 C-Si, C-Si, C-C/H, C-CF_x(x≤3), C-F, C-F₂, C-F₃ 결합을 하고 있으며, 불소는 F-Si, F-C 및 F-O 결합으로 이루어져 있음을 알았다. 한편 산소는 O-Si 및 O-F 결합으로, 실리콘은 Si-Si, Si-C 및 Si-O 결합상태를 나타낸다. 잔류막의 수직분포 연구를 통하여 Si-O 및 Si-C 결합이 탄소와 불소의 결합층 아래에 존재하고, 잔류막의 표면부에 F-O 결합이 분포함을 알았다. 또한 건식식각 변수가 잔류막 형성에 미치는 영향이 조사되었으며 CHF₃/C₂F_6 가스 유량비, RF power 벚 압력 등이 잔류막의 두께, 조성비 및 잔류막의 결합상태에 영향을 미침을 알 수 있었다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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