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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제12권 제3호
발행연도
2003.9
수록면
162 - 167 (6page)

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시료에 주입된 이온의 깊이방향에 따른 농도분포를 알아보기 위하여 시료표면을 sputtering 하면서 튀어나온 주입된 이온을 depth profiling한다. Depth profiling 측정 시에 깊이방향에 영향을 주는 sputtering rate가 변화하는 효과를 SRIM simulation을 이용하여 계산하였다. 시료에 이온이 주입하게 되면 시료의 원자밀도는 약간 증가하게 되는데, 그 결과로 sputtering yield가 변화하게 된다. 이러한 변화가 결과적으로 depth profile 측정시에 깊이방향에 영향을 줄 수 있는 sputtering rate를 변화시키는 원인이 된다.
SRIM(Stopping and Range of Ions in Matter) Monte Carlo simulation code를 사용하여 이온주입에 의한 시료의 원자밀도의 변화에 따른 sputtering yield를 구하여 sputtering rate를 계산하고, 그 차이가 depth profiling 측정에서 깊이방향 분포에 영향을 줄 수 있다는 것을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 이론

3. 결과 및 고찰

4. 결론

후기

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Depth profile 측정 시에 영향을 주는 Sputtering rate에 관한 연구
김주광 ,  성인복 ,  강석태 한국진공학회 학술발표회초록집 2003 .08

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