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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제2호
발행연도
1998.5
수록면
161 - 168 (8page)

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Taguchi가 제안한 강건설계 및 연구자의 주관에 의존하는 통상적인 실험방법을 병행하여 CH₄/ H₂ 유도결합 고밀도 플라즈마를 이용한 InP 소재의 반응성이온에칭에 있어 공정변수들이 식각특성에 미치는 영향을 분석하고 적정조건을 도출하였다. 연구 결과 ICP 전력은 표면거칠기와 측벽수직도, bias 전력은 식각속도와 수직도에, CH₄분율은 수직도와 식각속도, 석영창과 시료 사이의 거리는 표면 거칠기에 영향을 주는 변수로 작용하였고, 식각속도에 가장 크게 영향을 주는 변수는 공정압력임을 알 수 있었다. 결과적으로 ICP Power 700W, bias Power 150W, 시편/coil 거리 14 ㎝, 압력 7.5 mTorr, 15% CH₄의 적정조건에서 시간당 약 3.1 ㎛의 식각속도와 미려한 표면을 얻어, 기존의 반응성 이온 식각 (RIE)과 비교하여 1.5배 이상의 식각속도를 얻을 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

후기

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