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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제1호
발행연도
1997.2
수록면
91 - 96 (6page)

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평면형 유도 결합 플라즈마의 전기적 특성을 측정하였고 Langmuir probe를 이용하여 전자의 밀도와 온도를 측정하였다. 코일과 플라즈마를 포함한 총 부하의 저항 성분은 1에서 4Ω까지 변하였고 인덕턱스는 1.5 μH와 2 μH 사이의 값을 가졌다. 10¹¹/㎤ 이상의 고밀도 플라즈마를 발생시켰으며 전자의 온도는 공정 조건에 따라 3에서 5eV까지 변하였다. 산화막 식각시 선택도를 개선하기 위한 방법으로 바이어스 전압을 변조하는 방법을 모색하였다. C₄F_8 플라즈마에서 바이어스 변조 방법을 사용하였을 때 선택도는 크게 향상 되었으나 산화막 식각율이 400 Å/min 이하였다. 선택도 향상을 위해 수소를 첨가한 실험에서 C₄F_8 플라즈마에 60% H₂를 첨가하였을 때 선택도 50이상, 산화막 식각율 2000 Å/min 이상의 결과를 얻을 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 평면형 유도 결합 플라즈마의 특성

3. 산화막 식각

4. 결론

참고문헌

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