평판형 유도결합 플라즈마 장치의 SiH₄/H₂ 방전에 대한 공간 평균 전산모사

이원기; 권득철; 윤남식

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이원기 권득철 윤남식 (충북대학교)

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제6호

발행연도: 2009.11

수록면: 426 - 434 (9page)

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평판형 유도결합 플라즈마 장치의 SiH₄/H₂ 방전에 대한 공간 평균 전산모사가 이루어졌다. SiH₄/H₂ 플라즈마 방전에서 발생되는 전자, 양이온, 음이온, 중성종, 그리고 라디칼들에 대한 공간 평균된 유체 방정식을 기반으로 하고 있으며, 비정상 표피효과(Anomalous skin effect)를 고려한 비충돌 전자가열 모델을 적용하여 흡수되는 파워량을 결정하였다. SiH₄와 H₂의 가스 주입비율, 파워, 그리고 압력을 변화시키며 각각에 대한 하전입자, 중성종 및 라디칼들의 밀도 변화와 전자온도 의존성을 조사하였다.

#유도결합 플라즈마 #공간 평균 전산모사 #비정상 표피효과 #Inductive coupled plasma #Zero-dimensional simulation #Anomalous skin effect

참고문헌 (13)

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1. [학술지(정기간행물)] - 권득철 / 2009 / A numerical study of the effect of gas injection position in an inductively coupled plasma discharge / Current Applied Physics 9 (3) : 546 ~ 550

2. [학술지(정기간행물)] - Hideshi Nomura / 1995 / / J. Phys. D: Appl. Phys 28

3. [학술지(정기간행물)] - N. S. Yoon / 1997 / / Phys. Rev. E 55 : 7536 ~

4. [학술지(정기간행물)] - 정봉삼 / 2008 / 표면 전류 모델을 이용한 TCP 장치의 안테나 영역 전기장 계산 / 한국진공학회지 17 (5) : 419 ~ 425

5. [학술지(정기간행물)] - N. S. Yoon / 1995 / / Journal of the Korean Physical Society 28 (2) : 172 ~

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