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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 245 - 250 (6page)
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라디오주파수 분말 스퍼터링 방법으로 sapphire (0001) 기판 위에 Sn을 함유한 -Ga2O3(-Ga2O3 : Sn) 나노와이어를 증착하였다. 후열처리 공정의 가스 분위기가 나노와이어 형상의 변화에 미치는 영향을 연구하였다. 800oC에서 진공중 열처리 과정에서, as-grown 나노와이어는 다공성 구조로 전이하였다. 비화학양론 Ga2O3x는 화학양론 Ga2O3로 바뀌고,Sn원자는 응집하여 나노클러스터를 형성한다. Sn 나노클러스터는 증발하여 Sn 원자의 함량은 1.31에서 0.27 at%로 감소하였다. Sn원자의 증발로 인하여 나노와이어 표면에 다수의 기공이 형성되고, 이는 -Ga2O3 : Sn 나노와이어의 체적대비 표면적 비율을 증가시킨다.
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S. J. Pearton / 2018 / A review of Ga2O3 materials, processing, and devices / Appl. Phys. Rev 5:011301
L. Nagarajan / 2008 / A chemically driven insulator-metal transition in non-stoichiometric and amorphous gallium oxide / Nature Mater 7:391
M. Higashiwaki / 2013 / Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics / Appl. Phys. Lett 103:123511
A. Petitmangin / 2011 / Metallic clusters in nonstoichiometric gallium oxide films / J. Appl. Phys 109:013711
Y. Aoki / 2014 / Bulk mixed ion electron conduction in amorphous gallium oxide causes memristive behaviour / Nature Commun 5:3473
L. Nagarajan / 2008 / A chemically driven insulator-metal transition in non-stoichiometric and amorphous gallium oxide / Nature Mater 7:391
M. Higashiwaki / 2013 / Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics / Appl. Phys. Lett 103:123511
A. Petitmangin / 2011 / Metallic clusters in nonstoichiometric gallium oxide films / J. Appl. Phys 109:013711
Y. Aoki / 2014 / Bulk mixed ion electron conduction in amorphous gallium oxide causes memristive behaviour / Nature Commun 5:3473
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