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저자정보
Jang, Jin-Nyoung (Dept. of Display and Semiconductor Physics, Korea University) Song, Byoung-Chul (Dept. of Display and Semiconductor Physics, Korea University) Oh, Kyoung-Suk (National Fusion Research Institute) Yoo, Suk-Jae (National Fusion Research Institute) Lee, Bon-Ju (National Fusion Research Institute) Choi, Soung-Woong (National Fusion Research Institute) Park, Young-Chun (Dept. of Information Technology, Handong Global University) Hong, Mun-Pyo (Dept. of Display and Semiconductor Physics, Korea University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
발행연도
2009.1
수록면
1,025 - 1,027 (3page)

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Novel low temperature deposition process for nano-crystalline Si thin film is developed with the hyper-thermal neutral beam (HNB) technology. By our HNB assisted CVD system, the reactive particles can induce crystalline phase in Si thin films and effectively combine with heating effect on substrate. At low deposition temperature under $80^{\circ}C$, the HNB with proper incident energy controlled by the reflector bias can effectively enhance the nano-crystalline formation in Si thin film without any additional process. The electrical properties of Si thin films can be varied from a-Si to nc-Si according to change of HNB energy and substrate temperature. Characterization of these thin films with conductivity reveal that crystalline of Si thin film can increase by assist of HNB with appropriate energy during low temperature deposition. And low temperature prcoessed nc-Si TFT performance has on-off ratio as order 5.

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