저가 고효율 태양전지용 다결정 실리콘 박막의 저온 증착

Plolycrystalline silicon films are deposited on low temperature glass substrate by Hot-Wire CVD(HWCVD). It is investigated that the films have large lateral and vertical grain size; laterally larger than 1㎛ and vertically unique grain without grain boundaries toward current flows. Raman and x-ray diffraction analysis show that the films have crystalline volume fraction greater than 90% and have preferred orientation toward (110) directions. The deposited poly-Si films also shows textured surface structures that is strongly required in thin film silicon solar cells in order to obtain high light induced current density by effectively trapping incident light. Schottky junction cells(Ag/Au/poly-Si/n++ Si-wafer/Ag) are fabricated to qualify the HW poly-Si films. We can obtain high current density(Jsc) of 23㎃/㎠ in Schottky junction cells although open circuit voltage, fill factor, and efficiency are still low. This high Jsc is believed to result from high crystalline properties of the poly-Si films and to provide high performance when used in conventional solar cells with pn or pin structure.

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