고농도 Ge fraction을 갖는 Si₁ₓ-Geₓ막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과

이철진 ,  박정훈 ,  김성진

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth

이철진 ,  엄문종

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )

이철진 ,  엄문종

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

In-Situ Phosphorus Doping Effect on Si0.8 Ge0.2 Epitaxial Growth by ultraclean LPCVD

이철진 ,  엄문종 ,  성만영

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

저압 CVD에 의한 Si_0.8Ge_0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과

이철진 ,  엄문종 ,  성만영

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .11

고농도 Ge fraction을 갖는 Si1-xGex막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과 ( In-situ Phosphorus Doping Effect on Epitaxial Growth of Si1-xGex Film with High Ge Fraction )

이철진 ,  박정훈 ,  김성진

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향

신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

저압 CVD에 의한 Si_0.8Ge_0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과

李鐵眞

전기학회논문지

1998 .12

Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films

Ko ,  D.H. ,  Kang 외 13명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2002 .01

플라즈마를 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Plasma-assisted epitaxial growth of Ge layer on Si ( 100 ) in H2 Plasma )

박명기 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1988 .11

MBE에 의한 Ge epitaxial layer 성장

임재영 ,  이철로 ,  노삼규 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )

김성수 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

Surface Treatment of Ge Grown Epitaxially on Si by Ex-Situ Annealing for Optical Computing by Ge Technology

Xiaochi Chen ,  Yijie Huo ,  Seongjae Cho 외 5명

IEIE Transactions on Smart Processing & Computing

2014 .10

GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )

박상준 ,  박명기 ,  최시영

전자공학회논문지

1989 .11

GE Aircraft Engines : GE F404 for the KTX-2, and GE90 : The Engine with the Future Built In

William J. Dwye

한국항공우주학회 단행본

2000 .01

Si_1-xGe_x/Si에피택셜층의 건식산화동안 Ge 재분포

신창호 ,  김태형 ,  김재범 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

Role of a Surfactant in Ge / Si Growth

Chan Wuk Oh ,  Eun Ja Kim ,  Young Hee Lee 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Si와 Ge의 초정밀 절삭특성

원종호 ,  박상진 ,  안병민 외 4명

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2000 .05

DC Characteristics of P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Si₀.₈₈Ge₀.₁₂(C) Heterostructure Channel

Sang Sik Choi ,  Hyun Duk Yang ,  Tae-Hyun Han 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2006 .06

무엇이 기업을 강하게 만들 수 있는가 - GE의 사례를 중심으로

한국전자산업진흥회

전자진흥

1999 .01