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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.11
- 수록면
- 314 - 316 (3page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
1998
고농도 Ge fraction을 갖는 Si1-xGex막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과 ( In-situ Phosphorus Doping Effect on Epitaxial Growth of Si1-xGex Film with High Ge Fraction )
이철진
,
박정훈
,
김성진
대한전자공학회 학술대회
1998.07
학술대회자료
고농도 Ge fraction을 갖는 Si₁ₓ-Geₓ막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과
이철진
,
박정훈
,
김성진
대한전자공학회 학술대회
1998.06
학술대회자료
In-Situ Phosphorus Doping Effect on Si0.8 Ge0.2 Epitaxial Growth by ultraclean LPCVD
이철진
,
엄문종
,
성만영
대한전자공학회 학술대회
1998.01
학술대회자료
1997
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth
이철진
,
엄문종
대한전자공학회 학술대회
1997.11
학술대회자료
저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )
이철진
,
엄문종
대한전자공학회 학술대회
1997.11
학술대회자료
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과
이철진
,
엄문종
,
성만영
대한전기학회 학술대회 논문집
1997.11
학술대회자료
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목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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IN-SITU PHOSPHORUS HEAVY DOPING ON $Si_{1-x}Ge_x$ EPITAXIAL GROWTH WITH HIGH Ge FRACTION BY USING LPCVD
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
-
저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
-
In-Situ Phosphorus Doping Effect on Si0.8 Ge0.2 Epitaxial Growth by ultraclean LPCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
In-Situ Phosphorus Doping on Si1-xGex Epitaxial Growth in the SiH4-GeH4-PH3 Gas System by Using LPCVD
International Conference on Electronics, Informations and Communications
1998 .01
-
Si 모재 위의 Si_(x)Ge_(1-x) 박막에서 부정합 전위와 임계두께에 관한 연구 ( Study on Misfit Dislocations and Critical Thickness in a Si_(x)Ge_(1-x) Epitaxial Film on a Si Substrate )
대한기계학회 춘추학술대회
2001 .06
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성장 온도에 따른 GaAsP/GaP Epitaxial Layer의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .11
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EFFECT OF THE ROUGHNESS OF SUBSTRATE SURFACE ON LOW-TEMPERATURE SILICON EPITAXIAL GROWTH
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
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MBE에 의한 Ge epitaxial layer 성장
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
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In-situ NH₃ doping에 따른 GaAs0.35P0.65에피막의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .07
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RECENT ADVANCES IN SILICON EPITAXIAL GROWTH FOR ADVANCED DEVICE STRUCTURES
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
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MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF SHORT PERIOD SUPERLATTICE
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
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Growth of Epitaxial CoSi2 using Co / Ti / Si System
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
고농도 Ge fraction을 갖는 Si1-xGex막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과 ( In-situ Phosphorus Doping Effect on Epitaxial Growth of Si1-xGex Film with High Ge Fraction )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
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Metal Epitaxial Layer by MBE
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
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Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD
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1996 .01
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Epitaxial growth of organic semiconductors by eutectic solidification
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2014 .04
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