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Rapid Thermal Annealing System의 시험 제작 ( Experimental Results of a Prototype Rapid Thermal Annealing System )
대한전자공학회 학술대회
1986 .01
슬립현상을 최소화하기 위한 급속 열처리 ( Rapid Thermal Annealing to Minimize Slip )
대한전자공학회 학술대회
1988 .07
슬립현상을 최소화 하기위한 급속열처리
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .07
급속 열처리 장치를 이용한 실리콘 산화막의 Annealing 효과 ( Effects of Annealing on Silicon Dioxide Using Rapid Thermal Process System )
대한전자공학회 학술대회
1988 .07
급속 열처리 장치를 이용한 실리콘 산화막의 Annealing 효과
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .07
PARAMETRIC STUDY ON THE SHEET RESISTANCE OF THE ION IMPLANTED SILICON WAFERS AFTER RAPID THERMAL ANNEALING
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
급속 열처리시 실리콘 웨이퍼의 온도분포와 슬립 현상의 해석 ( Analysis of Temperature Distribution and Slip in Rapid Thermal Processing )
대한기계학회 논문집
1992 .04
급속 열처리에 의한 다결정 실리콘 박막의 형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
COMPUTER SIMULATION OF RAPID THERMAL ANNEALING OF THE SILICON OXIDE IN AMMONIA AMBIENT
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
새로운 Annealing 방법 ( A New Annealing Method )
대한전자공학회 학술대회
1988 .07
새로운 AnneaLing 방법
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .07
Rapid Thermal Annealing for the Thermal Oxidation and the Activation of implanted Impurities
대한전자공학회 세미나
1992 .01
B+ 및 BF2+ 가 이온 주입된 실리콘 웨이퍼의 Annealing 효과 ( Annealing Effect ofr the B+- and BF2+- Implanted Silicon Wafers )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
Properties of Co-silicide prepared by rapid thermal annealing
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
EFFECT OF RAPID THERMAL ANNEALING WHEN USED FOR ANNIHILATION OF THERMAL DONORS IN SILICON ON SUBSEQUENT OXYGEN PRECIPITATION
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .11
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과
전기학회논문지
1998 .12
Rapid Thermal Annealing Using Vertical Movable Heat Treatment Equipment
대한전자공학회 세미나
1991 .01
Si 모재 위의 Si_(x)Ge_(1-x) 박막에서 부정합 전위와 임계두께에 관한 연구 ( Study on Misfit Dislocations and Critical Thickness in a Si_(x)Ge_(1-x) Epitaxial Film on a Si Substrate )
대한기계학회 춘추학술대회
2001 .06
EFFECT OF THE ROUGHNESS OF SUBSTRATE SURFACE ON LOW-TEMPERATURE SILICON EPITAXIAL GROWTH
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
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